构建了一种基于AgBiS2/Bi2S3的分子印迹光电化学传感器，用于杀虫剂残杀威的检测。采用溶剂热法，在钛片基底上合成AgBiS2/Bi2S3复合材料。以残杀威为模板分子，邻苯二胺为功能单体，通过电聚合在修饰AgBiS2/Bi2S3复合材料的钛片上电沉积形成分子印迹聚合物膜，可对残杀威产生特异性识别。残杀威与印迹孔穴特异性结合后，阻碍电子供体穿过孔穴到达电极表面，导致光电流降低，据此进行残杀威的检测。残杀威浓度的对数值与光电流在1.0×10-12~5.0×10-10 mol/L范围内呈线性关系，检出限为2.3×10-13 mol/L。将此传感器用于水果等实际样品中残杀威残留的检测，加标回收率介于101.0%~103.1%之间。